半导体器件建模仿真与分析教程

 1. 课程核心价值与特色   
本课程是国内少有的系统讲解半导体器件仿真的实战教程，覆盖从半导体物理基础到第三代半导体器件建模的全技术链条。通过42节高清视频，学员将掌握Sentaurus TCAD等专业工具的操作技巧，完成PN结、MOSFET、IGBT等6类器件的完整仿真流程，特别包含FinFET和GaN HEMT等前沿器件案例分析。   

课程独创"理论推导+软件实操+工业级案例"三维教学模式，重点培养解决实际工程问题的能力，如碰撞电离仿真、辐照效应分析等企业关注的核心技术难点。   

 2. 模块化知识体系解析   
基础模块（第1章）夯实半导体物理根基，包括载流子输运方程、泊松方程数值解法等关键理论，同步完成Linux环境搭建与软件配置。进阶模块（第2-3章）深入器件级仿真，通过Trench IGBT建模案例详解Sentaurus Structure Editor工具链，并教授TCL脚本自动化处理技巧。   

高阶应用模块（第4章）聚焦工艺仿真联动，涵盖离子注入参数优化、缺陷控制等晶圆厂实用技术，特别演示如何通过ICWBEV工具实现工艺-器件协同仿真，大幅提升研发效率。   

 3. 前沿技术深度覆盖   
课程突破传统教学局限，独家收录第三代半导体专题：   

- 碳化硅MOSFET的界面态建模方法   

- 氮化镓HEMT器件的极化效应仿真   

- 氧化镓材料参数自定义技术   

- 纳米片晶体管随机涨落分析方法   

通过SWB仿真平台实操演示，帮助学员掌握宽禁带半导体器件的特殊物理模型设置技巧，如隧穿电流模型、非完全电离效应等关键技术要点。   

 4. 工业级实战案例教学   
每个技术节点均配备企业真实案例：   

- 功率器件动态特性仿真与SPICE模型生成   

- 光电二极管量子效率优化方案   

- 单粒子效应仿真与抗辐照设计   

- 混合模式电路仿真（以环形振荡器为例）   

特别包含5种网格划分策略对比与收敛性调试秘籍，解决仿真报错、结果失真等工程常见问题，大幅提升仿真结果可靠性。   

 5. 适合人群与学习路径   
本课程适合微电子专业研究生、器件研发工程师、TCAD软件使用者系统提升。建议按"基础理论→器件仿真→工艺集成"三阶段学习：先掌握1.1-1.4节半导体物理基础，再通过2.1-2.5节建立器件建模思维，最终完成4.5-4.12节完整工艺流片仿真。   

课程最大特色是将学术理论与工业实践深度融合，学员不仅能理解《半导体器件物理》经典理论的计算实现，更能掌握企业产品开发中的仿真标准流程，为芯片研发岗位奠定扎实基础。

资源目录列表：

├─半导体器件建模仿真与分析教程
│  ├─0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
│  ├─0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4
│  ├─0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4
│  ├─0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4
│  ├─0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
│  ├─0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4
│  ├─0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
│  ├─0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
│  ├─0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
│  ├─0001--3-10-交流小信号分析.mp4
│  ├─0001--3-11-交流小信号分析（二）.mp4
│  ├─0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
│  ├─0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
│  ├─0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
│  ├─0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4
│  ├─0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
│  ├─0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
│  ├─0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
│  ├─0001--3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
│  ├─0001--3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4
│  ├─0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
│  ├─0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
│  ├─0001--3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
│  ├─0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4
│  ├─0001--3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4
│  ├─0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4
│  ├─0001--工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
│  ├─0002--4-2_版图绘制基础（上）.mp4
│  ├─0003--4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4
│  ├─0004--4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4
│  ├─0005--4-5-工艺仿真基础（一）.mp4
│  ├─0006--4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4
│  ├─0007--4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4
│  ├─0008--4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4
│  ├─0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
│  ├─0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4
│  ├─0011--4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4
│  ├─0012--4-12_离子注入仿真（上）.mp4